A Fairchild Semiconductor (www.fairchildsemi.com) lançou um novo IGBT, especialmente indicado para aumentar a eficiência de aplicações de baixas freqüências (50 a 400Hz) como as utilizadas na indústria. Esse componente recebeu a denominação FGH30N60LSD, sendo recomendado para aplicações como inversores solares, máquinas industriais e no-breakes (UPS). Ele tem uma tensão de saturação extremamente baixa, da ordem de 1,1 V com 30 A de corrente, o que o torna ideal para aumentar o rendimento das aplicações. Seu invólucro, compativel com o TO-220, é mostrado na figura 1.



Esse novo IGBT pode ser combinado com o FCH47N60E, um superFET que apresenta características de altas freqüências de operação (até 250 kHz) e uma resistência de condução extremamente baixa, da ordem de 0,062 ohms. Esse componente é fornecido em invólucro TO-247, conforme exibe a figura 2.



O FGH30N60LSD é um elemento de disparo MOS de alta tensão que combina as melhores características dos MOSFETs com as dos transistores bipolares. Também existe integrado no dispositivo um diodo de recuperação rápida (FRD).

O componente emprega inclusive terminais sem chumbo (Pb-free ou lead-free), caracterizado para exigências de normas que regem a fabricação de componentes livres de toxicidade como o padrão IPC/JEDECJ-STD-020.

Outras características desse componente;

Vges = +/- 20 V (max)
Vces = 600 V (max)
Ic = 30 A (max)
Pd = 480 W (max)

*Originalmente publicado na revista Saber Eletrônica. Ano 44 - n°427 - Ago/08.