A NXP lançou o transistor de potência de estação rádio-base BLC7G22L-130, aperfeiçoado para aplicações de uso de alta potência em amplificadores Doherty. Esse é o primeiro produto da empresa na sétima geração da tecnologia LDMOS (semicondutor de óxido de metal difundido lateralmente), que permite maior eficiência para soluções LDMOS, aumentando a densidade de potência, melhorando a eficiência e reduzindo a resistência térmica Rth.

Os primeiros protótipos de transistores Gen7 LDMOS da NXP serão demonstrados entre os dias 15 e 20 de junho no Simpósio Internacional de Microondas IEEE MTT-S 2008, em Atlanta, Geórgia. As amostras do BLC7G22L-130, por sua vez, estarão disponíveis no terceiro trimestre deste ano e outros produtos baseados na tecnologia serão lançados em 2009.

Para Mark Murphy, gerente de Marketing da linha de produtos de potência de RF da empresa, “enquanto as operadoras móveis começam a oferecer os serviços de banda larga sem fio, baseados em tecnologias como HSDPA e LTE, as demandas de potências nas infra-estruturas das redes estão alcançando níveis sem precedentes. Usando a tecnologia Gen7 LDMOS, a NXP oferece o mais elevado desempenho em transistor de potência LDMOS para amplificadores de potência para estação rádio-base, permitindo maior eficiência e valor agregado, comparado a qualquer outro produto no mercado”.

A nova geração LDMOS possui um desempenho recorde em aplicações de até 3.8 GHz e, por isso, oferece uma solução com capacitância de saída mais baixa do que as antigas gerações, permite um casamento de impedâncias de saída em bandas muito mais largas, com um projeto muito mais simples, possibilitando circuitos Doherty com melhor performance. O Doherty emergiu como a escolha do mercado para arquitetura de amplificadores para novos transmissores de estação rádio-base, ajudando as operadoras de redes sem fio a aumentar a eficiência e reduzir custos de operação.

"Com serviços de dados tornando-se grande parte da tecnologia de infra-estrutura sem fio, o avançado desempenho do amplificador de potência de RF é uma obrigação”, disse Lance Wilson, diretor de pesquisa, componentes RF e sistemas, da ABI Research. "A sétima geração de LDMOS da NXP, com suas melhorias em densidade de potência e desempenho térmico, deve provar ser um recurso valioso, enquanto a empresa se move em direção às principais empresas para estas aplicações”, completou.

Informações adicionais sobre a tecnologia Gen7 LDMOS da NXP estão disponíveis no catálogo de produto de potência RF da empresa.